| 主权项 |
1.一种半导体元件,包括: 一基板;及 一闸极,位于该基板上,该闸极含有氮,该闸极之含 氮量系成渐进式的浓度分布。 2.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该 基板系玻璃基板。 3.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该 闸极之含氮量系由接近该基板朝远离该基板递增 。 4.如申请专利范围第1项所述之半导体元件,其中该 闸极系包含一金属及该金属之氮化物。 5.如申请专利范围第4项所述之半导体元件,其中该 金属系包含铝、铜、银、钼、铬、钛及其合金以 及铝钕合金。 6.一种半导体元件,包括: 一基板; 一闸极,位于该基板上; 一半导体层,位于该闸极上; 一源极与一汲极,分别位于该半导体层上,该源极 与该汲极之含氮量系成渐进式的浓度分布;及 一通道,位于该源极与该汲极之间。 7.如申请专利范围第6项所述之半导体元件,其中该 基板系玻璃基板。 8.如申请专利范围第6项所述之半导体元件,其中该 闸极之含氮量系成渐进式的浓度分布。 9.如申请专利范围第6项所述之半导体元件,其中该 闸极之含氮量系由接近该基板朝远离该基板递增 。 10.如申请专利范围第6项所述之半导体元件,其中 该闸极系包含一金属及该金属之氮化物。 11.如申请专利范围第10项所述之半导体元件,其中 该金属系包含铝、铜、银、钼、铬、钛及其合金 以及铝钕合金。 12.如申请专利范围第6项所述之半导体元件,其中 该源极与该汲极之含氮量系由中间分别往远离该 基板与接近该基板递增。 13.如申请专利范围第6项所述之半导体元件,其中 该源极与汲极系包含一金属及该金属之氮化物。 14.如申请专利范围第13项所述之半导体元件,其中 该金属系包含铝、铜、银、钼、铬、钛及其合金 以及铝钕合金。 15.如申请专利范围第6项所述之半导体元件,更包 括一闸极绝缘层,该闸极绝缘层系位于该闸极与该 半导体层之间。 16.如申请专利范围第6项所述之半导体元件,更包 括一欧姆接触层,该欧姆接触层系位于该半导体层 上。 17.如申请专利范围第6项所述之半导体元件,更包 括一钝化层,该钝化层系位于覆盖有该闸极、该半 导体层以及该源极与该汲极之整个该基板上方。 18.如申请专利范围第17项所述之半导体元件,更包 括一接触孔,该接触孔系位于该钝化层中。 19.如申请专利范围第17项所述之半导体元件,更包 括一画素电极,该画素电极系位于该钝化层上。 20.一种半导体元件之制作方法,包括: 提供一基板;及 形成一闸极于该基板上,于形成该闸极时通入一氮 气,并于开始形成该闸极至完成该闸极的期间以渐 进的方式调整该氮气流量。 21.如申请专利范围第20项所述之半导体元件之制 作方法,其中该基板系玻璃基板。 22.如申请专利范围第20项所述之半导体元件之制 作方法,其中该氮气流量以递增方式调整,使该闸 极之含氮量由接近该基板朝远离该基板递增。 23.如申请专利范围第20项所述之半导体元件之制 作方法,其中该闸极系包含一金属及该金属之氮化 物。 24.如申请专利范围第23项所述之半导体元件之制 作方法,其中该金属系包含铝、铜、银、钼、铬、 钛及其合金以及铝钕合金。 25.一种半导体元件之制作方法,包括: 提供一基板; 形成一闸极于该基板上; 形成一半导体层于该闸极上; 形成一源极与一汲极于该基板上,形成该源极与该 汲极时通入一氮气,并于开始形成该源极与该汲极 至完成该源极与该汲极的期间以渐进的方式调整 该氮气流量;及 形成一通道于该源极与该汲极之间。 26.如申请专利范围第25项所述之半导体元件之制 作方法,其中该基板系玻璃基板。 27.如申请专利范围第25项所述之半导体元件之制 作方法,其中于形成该闸极之步骤中,系通入一氮 气,并于开始形成该闸极至完成该闸极的期间以渐 进的方式调整该氮气流量。 28.如申请专利范围第25项所述之半导体元件之制 作方法,其中该氮气流量以递增方式调整,使该闸 极之含氮量由接近该基板朝远离该基板递增。 29.如申请专利范围第25项所述之半导体元件之制 作方法,其中该闸极系包含一金属及该金属之氮化 物。 30.如申请专利范围第29项所述之半导体元件之制 作方法,其中该金属系包含铝、铜、银、钼、铬、 钛及其合金以及铝钕合金。 31.如申请专利范围第25项所述之半导体元件之制 作方法,其中该氮气流量以递减然后再递增的方式 调整,使该源极与该汲极之含氮量由中间分别往远 离该基板与接近该基板递增。 32.如申请专利范围第25项所述之半导体元件之制 作方法,其中该源极与该汲极系包含一金属及该金 属之氮化物。 33.如申请专利范围第32项所述之半导体元件之制 作方法,其中该金属系包含铝、铜、银、钼、铬、 钛及其合金以及铝钕合金。 34.如申请专利范围第25项所述之半导体元件之制 作方法,更包括形成一闸极绝缘层,该闸极绝缘层 系位于该闸极与该半导体层之间。 35.如申请专利范围第25项所述之半导体元件之制 作方法,更包括形成一欧姆接触层,该欧姆接触层 系位于该半导体层上。 36.如申请专利范围第25项所述之半导体元件之制 作方法,更包括形成一钝化层,该钝化层系位于覆 盖有该闸极、该半导体层以及该源极与该汲极之 整个该基板上方。 37.如申请专利范围第36项所述之半导体元件之制 作方法,更包括形成一接触孔,该接触孔系位于该 钝化层中。 38.如申请专利范围第36项所述之半导体元件之制 作方法更包括形成一画素电极,该画素电极系位于 该钝化层上。 图式简单说明: 第1图为本发明之包含氮化渐层结构之闸极之半导 体元件之示意图; 第2图为本发明之包含氮化渐层结构之闸极之半导 体元件之流程图; 第3图为本发明制作包含氮化渐层结构之源极与汲 极之半导体元件之示意图; 第4图为本发明制作包含氮化渐层结构之源极与汲 极之半导体元件之流程图; 第5图为本发明制作包含氮化渐层结构之闸极和源 极与汲极之半导体元件之示意图;及 第6图为本发明制作包含氮化渐层结构之闸极和源 极与汲极之半导体元件之流程图。 |
