| 主权项 |
1.一种绝缘膜成膜用原料,其特征是由锂的烷氧基 化合物和选自醚、酮、酯、醇、烃的一种以上的 有机溶剂所组成。 2.如申请专利范围第1项之绝缘膜成膜用原料,进一 步含有四甲氧基矽烷或四乙氧基矽烷。 3.如申请专利范围第1或2项之绝缘膜成膜用原料, 其中锂的烷氧基化合物是甲醇锂、乙醇锂、正丙 醇锂、异丙醇锂、正丁醇锂、异丁醇锂、第二丁 醇锂、第三丁醇锂。 4.一种绝缘膜成膜用原料,其特征是由锂的羧酸盐 、四甲氧基矽烷或者四乙氧基矽烷及有机溶剂所 组成。 5.如申请专利范围第4项之绝缘膜成膜用原料,其中 锂的羧酸盐为甲酸锂、乙酸锂、或丙酸锂。 6.如申请专利范围第4项之绝缘膜成膜用原料,其中 有机溶剂为选自醚、酮、酯、醇、及烃一种以上 的有机溶剂。 7.如申请专利范围第1或2项之绝缘膜成膜用原料, 其中锂的烷氧基化合物相对原料总量的含有量是5 ~80wt%。 8.如申请专利范围第4项之绝缘膜成膜用原料,其中 锂的羧酸盐相对原料总量的含有量是1~50wt%。 9.如申请专利范围第2或4项之绝缘膜成膜用原料, 其中四甲氧基矽烷或四乙氧基矽烷相对原料总量 的含有量是5~75wt%。 10.如申请专利范围第1、2或4项之绝缘膜成膜用原 料,其中进一步添加界面活性剂。 11.一种成膜方法,其特征是使用如申请专利范围第 1~10项中任一项之绝缘膜成膜用原料,用旋转喷涂 法、喷雾沉积法或CVD法在基板的表面形成含有锂 的绝缘膜或含有矽酸锂的绝缘膜。 12.如申请专利范围第11项之成膜方法,其中基板是 矽基板、陶瓷基板、玻璃基板、金属基板或合金 基板。 13.如申请专利范围第11项之成膜方法,其中绝缘膜 进行成膜时的处理温度是150~800℃。 14.如申请专利范围第11项之成膜方法,其中成膜时 添加选自一种以上之氧、臭氧、及水蒸汽,使其成 膜。 图式简单说明: 第1图是表示用旋转喷涂法实施本发明成膜方法的 装置之一例的构成图。 第2图是表示用喷雾沉积法实施本发明成膜方法的 装置之一例的构成图。 第3图是表示用CVD法实施本发明成膜方法的装置之 一例的构成图。 第4图是表示用CVD法实施本发明成膜方法的装置之 第3图以外的一例的构成图。 第5图是表示用CVD法实施本发明成膜方法的装置之 第3图、第4图以外的一例的构成图。 第6图是表示用于本发明经CVD的成膜方法之气化器 的一例的构成图。 |
