| 主权项 |
1.一种降低光阻线边缘粗糙度之方法,包含: 将已图型化的光阻显影; 将塑化剂施加至该已图型化的光阻以降低线边缘 粗糙度;及 在施加塑化剂之后,将光阻平坦化热处理。 2.如申请专利范围第1项之方法,包含施加超临界流 体中的塑化剂。 3.如申请专利范围第2项之方法,包含施加超临界二 氧化碳流体中的塑化剂。 4.如申请专利范围第1项之方法,包含施加塑化剂作 为使光阻显影之后的分别步骤。 5.如申请专利范围第1项之方法,包含与显影剂一起 施加塑化剂。 6.如申请专利范围第1项之方法,包含与显影冲洗一 起施加塑化剂。 7.如申请专利范围第1项之方法,包含施加会增进光 阻的抗蚀刻性之塑化剂。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中施加塑化剂包 含将塑化剂扩散至光阻中。 9.如申请专利范围第8项之方法,包含将汽相的塑化 剂扩散至光阻中。 10.如申请专利范围第1项之方法,包含藉由在平坦 化热处理期间使塑化剂挥发以控制平坦化热处理 的量。 11.如申请专利范围第1项之方法,包含施加液态二 氧化碳中的塑化剂。 12.如申请专利范围第1项之方法,包含藉由冷却光 阻以控制平坦化热处理的量。 13.一种半导体结构,包含: 已图型化的光阻;及 在该光阻上的塑化剂涂层。 14.如申请专利范围第13项之半导体结构,其中该光 阻被显影。 15.如申请专利范围第13项之半导体结构,其中该塑 化剂包含氢氟醚。 16.一种降低光阻线边缘粗糙度之方法,包含: 施加塑化剂至已图型化的光阻之表面以降低线边 缘粗糙度;及 将光阻及施加的塑化剂加热以平坦化热处理光阻 。 17.如申请专利范围第16项之方法,包含施加超临界 流体中的塑化剂。 18.如申请专利范围第17项之方法,包含施加超临界 二氧化碳流体中的塑化剂。 19.如申请专利范围第16项之方法,包含施加塑化剂 作为使光阻显影之后的分别步骤。 20.如申请专利范围第16项之方法,包含与显影剂一 起施加塑化剂。 21.如申请专利范围第16项之方法,包含与显影冲洗 一起施加塑化剂。 22.如申请专利范围第16项之方法,包含施加会增进 光阻的抗蚀刻性之塑化剂。 23.如申请专利范围第16项之方法,其中施加塑化剂 包含将塑化剂扩散至光阻中。 24.如申请专利范围第16项之方法,包含藉由在平坦 化热处理期间使塑化剂挥发以控制平坦化热处理 的量。 25.如申请专利范围第16项之方法,包含藉由冷却光 阻以控制平坦化热处理的量。 26.如申请专利范围第16项之方法,包含将汽相的塑 化剂扩散至光阻中。 27.如申请专利范围第16项之方法,包含施加液态二 氧化碳中的塑化剂。 图式简单说明: 图1是根据本发明之一实施例早期阶段之放大、剖 面视图; 图2是根据本发明之一实施例之进一步处理之后图 1中所示的实施例之放大、剖面视图; 图3是根据本发明之一实施例之进一步处理之后图 2中所示的实施例之放大、剖面视图;及 图4是根据本发明之一实施例之进一步处理之后图 3中所示的实施例之放大、剖面视图。 |
