发明名称 反相闩锁电路之微调熔丝电路
摘要 一种反相闩锁电路之微调熔丝电路,包含:一第一互补式金氧半电晶体(CMOS电晶体)、一第二CMOS电晶体及一熔丝。第一CMOS电晶体具有一小尺寸的P型电晶体及一大尺寸的N型电晶体。第二CMOS电晶体具有一大尺寸的P型电晶体及一小尺寸的N型电晶体,其输入端与输出端与该第一CMOS电晶体之输出端及输入端交互耦接,该第一 CMOS电晶体之输出端提供一控制信号。熔丝连接于该第一 CMOS电晶体之输入端与地之间。当需要高电压准位之控制信号时,该熔丝不烧断,当需要低电压准位之控制信号时,于该第一CMOS电晶体之输入端耦接一高电位信号并烧断该熔丝。
申请公布号 TWI251900 申请公布日期 2006.03.21
申请号 TW094104334 申请日期 2005.02.15
申请人 新德科技股份有限公司 发明人 傅明
分类号 H01L21/82 主分类号 H01L21/82
代理机构 代理人 李长铭 台北市中山区南京东路2段53号9楼
主权项 1.一种反相闩锁电路之微调熔丝电路,包含: 一第一互补式金氧半电晶体(CMOS电晶体),具有一小 尺寸(通道宽度长度比;W/L)的P型电晶体及一大尺寸 的N型电晶体; 一第二CMOS电晶体,具有一大尺寸的P型电晶体及一 小尺寸的N型电晶体,其输入端与输出端与该第一 CMOS电晶体之输出端及输入端交互耦接(cross-coupled) ,该第一CMOS电晶体之输出端提供一控制信号;及 一熔丝,连接于该第一CMOS电晶体之输入端与地之 间; 其中当需要高电压准位之控制信号时,该熔丝不烧 断,当需要低电压准位之控制信号时,于该第一CMOS 电晶体之输入端耦接一高电位信号并烧断该熔丝 。 2.如申请专利范围第1项之反相闩锁电路之微调熔 丝电路,其中上述之第一CMOS电晶体与该第二CMOS电 晶体的交互耦接,使得该控制信号得以锁在该第一 CMOS电晶体之输入信号的反相信号。 3.如申请专利范围第1项之反相闩锁电路之微调熔 丝电路,其中上述之熔丝系通以大电流或利用雷射 使其烧断。 图式简单说明: 第一图为习知微调熔丝电路之示意图; 第二图为本发明在熔丝未烧断前之反相闩锁电路 之微调熔丝电路;以及 第三图为本发明在熔丝烧断后之反相闩锁电路之 微调熔丝电路。
地址 新竹县竹北市台元街30号4楼之3