| 主权项 |
1.一种对齐装置,用以对齐叠层电子零件中之叠层 平坦电极之朝向,叠层平坦电极主要为铁磁材料所 制,该装置包含: 一零件馈送器,提供一输送通道,其上,多个叠层电 子零件成一单列馈送;及 一磁场产生单元,配置于零件馈送器之外侧及旁边 ,以施加垂直及水平磁场线之一于在输送路径上移 动之叠层电子零件上。 2.如申请专利范围第1项所述之对齐装置,其中,铁 磁材料包含Ni。 3.如申请专利范围第1项所述之对齐装置,其中,零 件馈送器包含一钵,含有一底部份及一侧壁部份, 侧壁部分具有一外周表面及一内周表面,其中形成 一螺旋通道,底部份及螺旋通道用作输送通道;及 其中,磁场产生单元配置于螺旋通道之径向外侧。 4.如申请专利范围第3项所述之对齐装置,其中,磁 场产生单元与外周表面分开一距离,俾施加400至 2000高斯之磁通密度于螺旋通道上移动之叠层电子 零件上。 5.如申请专利范围第1项所述之对齐装置,其中,零 件馈送器包含一钵,含有一底部份及一侧壁部份, 侧壁部份具有一外周表面及一内周表面,其中形成 螺旋通道,底部份及螺旋通道用作输送通道;及 其中,磁场产生单元配置于钵之下方。 6.如申请专利范围第5项所述之对齐装置,其中,磁 场产生单元与钵在其轴向上分开,并在螺旋通道正 下方一距离,俾施加400至2000高斯之磁通量密度于 螺旋通道上移动之叠层电子零件上。 7.如申请专利范围第5项所述之对齐装置,其中,磁 场产生单元配置于底部份下方,并与其分开一距离 ,俾施加400至2000高斯之磁通量密度于在底部份上 移动之叠层电子零件上。 8.如申请专利范围第7项所述之对齐装置,另包含一 配置于底部份上方之漏斗,用以供应叠层电子零件 于其上,磁场产生单元垂直配置于漏斗下方。 9.如申请专利范围第1项所述之对齐装置,其中,磁 场产生单元包含永久磁铁及电磁铁之一。 10.一种用以对齐叠层电子零件中之叠层平坦电极 之方法,电极主要为铁磁材料所制;该方法包含步 骤: 在零件馈送器之输送通道上输送多个叠层电子零 件;及 施加磁场于输送通道上移动之电子零件上,俾使以 一方向延伸之磁场线在通过叠层电子零件,使叠层 平坦电极朝向与磁场线之方向重合之方向上。 11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,磁场线 延伸于水平方向上。 12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中,磁场线 延伸于垂直方向上。 图式简单说明: 图1为概要平面图,显示本发明之第一实施例之对 齐装置; 图2(a)为沿图1之线Ⅱa-Ⅱa上所取之概要剖面图; 图2(b)为概要图,用以说明第一实施例中施加于叠 层陶瓷晶片电容器上之磁场; 图3为概要平面图,显示本发明之第二实施例之对 齐装置; 图4(a)为沿图3之线Ⅳa-Ⅳa上所收之概要剖面图; 图4(b)为概要图,用以说明第二实施例中施加于叠 层陶瓷晶片电容器上之磁场; 图5为概要平面图,显示本发明之第三实施例之对 齐装置; 图6(a)为沿图5之线Ⅵa-Ⅵa上所取之概要剖面图; 图6(b)概要图,用以说明第三实施例中施加于叠层 陶瓷晶片电容器上之磁场; 图7为概要平面图,显示本发明之第四实施例之对 齐装置; 图8(a)为沿图7之线Ⅷa-Ⅷa上所取之概要断面图; 图8(b)概要图,用以说明第四实施例中施加于叠层 陶瓷晶片电容器上之磁场; 图9(a)为概要图,显示置于浮凸贴带中之叠层陶瓷 晶片电容器,其中,平坦电极朝向水平方向;及 图9(b)为概要图,显示置于浮凸贴带中之叠层陶瓷 晶片电容器,其中,平坦电极朝向垂直方向。 |
