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1.一种制备经氟化触媒化合物的方法,其包含使一 种二茂金属触媒化合物与一种经氟化无机盐接触, 以形成一种经氟化二茂金属触媒化合物, 其中该经氟化无机盐以下列通式描述: []a[]b 其中为一种选自第1和2族阳离子之阳离子种类; 苯铵(anilinium)和其经取代之变体,及NH4+、NH3R、NH2R2 和NHR3+,其中R系选自氢化物、氯化物、C1到C10烷基 和C6至C12芳基; 为一种阴离子种类,其系选自氟离子及包含氟和 一或多个选自氢、矽、碳、磷、氧、铝和硼的元 素之部分;及 a和b为从1到10之整数。 2.如申请专利范围第1项的方法,其中经氟化无机盐 之特征为当与至少50重量%水的稀释剂接触时,其产 生氟离子。 3.如申请专利范围第1项的方法,其中无机盐系选自 (NH4)3AlF6、NH4HF2 、NaF、KF、NH4F、(NH4)2SiF6和其组合 。 4.如申请专利范围第1项的方法,其中二茂金属化合 物以下式描述: CpACpBMXn、CpAMXn或CpA(A)CpBMXn 其中M为第4、5或6族原子; CpA和CpB各自为键结至M且独立选自环戊二烯基配位 体、经取代之环戊二烯基配位体、与环戊二烯基 等瓣(isolobal)之配位体及经取代之与环戊二烯基等 瓣之配位体; (A)为一种键结至CpA和CpB二者之二价桥联基,其系选 自二价C1至C20烃基及C1至C20含杂原子之烃基;其中 含杂原子之烃基包含从一到三个杂原子; X为一种阴离子离去基,其选自氯离子、溴离子、 羧酸根、醯丙酮根、氢氧离子;和 n为从1到3之整数。 5.如申请专利范围第1项的方法,其中二茂金属化合 物以下式描述: CpACpBMXn或CpA(A)CpBMXn 其中M为锆或铪; CpA和CpB各自为键结至M且独立选自经取代之环戊二 烯基配位体、经取代之基配位体、经取代之四 氢基配位体、经取代之茀基配位体及它们的杂 原子衍生物;其中取代基系选自C1至C10烷基及卤素; (A)为一种键结至CpA和CpB二者之二价桥联基,其系选 自二价C1至C20烃基及C1至C20含杂原子之烃基;其中 含杂原子之烃基包含从一到三个杂原子; X为一种阴离子离去基,其选自氯离子、溴离子、 羧酸根、醯丙酮根、氢氧离子;和 n为从1到3之整数。 6.如申请专利范围第5项的方法,其中至少一个Cp被 取代。 7.如申请专利范围第5项的方法,其中至少一个Cp被 二取代。 8.如申请专利范围第5项的方法,其中至少一个Cp具 有从2到5个取代。 9.如申请专利范围第5项的方法,其中取代基系选自 甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基 及三级-丁基。 10.如申请专利范围第1项的方法,其中经氟化二茂 金属进一步与在大于830℃之温度脱水的无机氧化 物合并。 11.如申请专利范围第1项的方法,其中经氟化二茂 金属具有在50℃至120℃下有利于淤浆或气相聚合 方法的至少3000克聚合物/克触媒之生产率。 12.如申请专利范围第1项的方法,其中使二茂金属 与经氟化无机盐之接触包含使二茂金属化合物与2 至20当量之经氟化无机盐接触,以氟原子之当量数 为基准。 13.如申请专利范围第1项的方法,其中二茂金属触 媒成分与烃或卤化烃稀释剂接触。 14.如申请专利范围第1项的方法,其中经氟化无机 盐与包含至少10重量%水之稀释剂接触。 |
