| 主权项 |
1.一种用于产制烯类聚合物之高活性触媒组份之 裂法,其特征在包括陆续步骤: (a)供应一含分子式(1)之镁卤化物之载体: (RO)2-nMgXn (1) 其中R为C1-C20烷基,C7-C26芳烷基,C1-C20氧烷基或芳氧 烷基,X为相同或不同之卤素及n为整数1或2,(b)接触 该载体包括分子式(1)之镁卤化物与一分子式(2)之 烷基金属卤化物以生成第一产物: R1n1Mm1X1(3m1-n1) (2) 其中M为B或Al,R1为相同或不同之C1-C10烷基,X1为相同 或不同之卤素,m1为1或2,当m1为1时,n1为1或2及当m1为 2时,n1为一整数1至5, (c)接触该第一产物与一镁组成物含有镁键接于羟 基及镁键接于氧烃基,俱有实验式(3)之镁组成物以 生成第二产物: R2n2(R3O)2-n2Mg (3) 其中R2为相同或不同之C1-C20烷基,R3为相同或不同 之C1-C20烷基,n2在0.01至1.99之间,及 (d)接触该第二产物与一钛卤化物如分子式(4): (R4O)n3TiX24-n3 (4) 其中R4为相同或不同之C1-C20烷基,X2为相同或不同 之卤素,n3为0或一整数1-3及Ti为四价钛。 2.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在该 载体为粒状,粒径自约1微米至约1000微米。 3.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在该 载体为粒状,为约10微米至约100微米。 4.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在所 述镁卤化物如分子式(1)为一种二卤化镁。 5.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在所 述镁卤化物如分子式(1)为MgCl2。 6.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在所 述载体包括一种镁卤化物如分子式(1)和一种无机 氧化物。 7.根据申请专利范围第6项所述之制法,其特征在所 述无机氧化物为俱有表面氢氧基之二氧化矽、氧 化铝、氧化矽、一氧化铝、氧化镁及其所成混合 物。 8.根据申请专利范围第6项所述之制法,其特征在所 述无机氧化物为俱有表面氢氧基之二氧化矽。 9.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在所 述载体包括以无机氧化物为粒子核心及以镁卤化 物外壳。 10.根据申请专利范围第6项所述之制法,其特征在 所述载体中如该分子式(1)之镁卤化物,所含镁百分 率以载体重量计算为1-20%之镁。 11.根据申请专利范围第6项所述之制法,其特征在 所述载体中如该分子式(1)之镁卤化物,所含镁百分 率以载体重量计算为2-6%。 12.根据申请专利范围第9项所述之制法,其特征在 所述载体中如该分子式(1)之镁卤化物,所含镁百分 率以载体重量计算为1-20%之镁。 13.根据申请专利范围第9项所述之制法,其特征在 所述载体中如该分子式(1)之镁卤化物,所含镁百分 率以载体重量计算为2-6%。 14.根据申请专利范围中第1项所述之制法,其特征 在所述烷基金属卤盐化物如分子式(2),另M为Al,R1为 相同或不同之C1-C6烷基,X1为氯,n1为1及m1为整数1或2 。 15.根据申请专利范围第14项所述之制法,其特征在 所述烷基金属卤化物如分子式(2)之二氯烷基铝为 二氯乙基铝。 16.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤b)中,所述载体包括如分子式(1)之一种镁卤化 物与所述如分子式(2)之烷基金属卤化物溶液接触 于大体为一非极性溶剂。 17.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤b)中,所述载体包括如分子式(1)之一种镁卤化 物与所述如分子式(2)之烷基金属卤化物溶液接触 于大体以非极性碳烃为溶剂。 18.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤b)中,所述载体包括如分子式(1)之一种镁卤化 物与所述如分子式(2)之烷基金属卤化物溶液接触 于大体以C4-C10碳烃为溶剂。 19.根据申请专利范围第16项所述之制法,其特征为 如分子式(2)之所述烷基金属卤化物于所述非极性 溶剂之浓度在1-80%重量比。 20.根据申请专利范围第17项所述之制法,其特征为 如分子式(2)之所述烷基金属卤化物于所述非极性 碳烃溶剂之浓度在1-80%重量比。 21.根据申请专利范围第18项所述之制法,其特征为 如分子式(2)之所述烷基金属卤化物于所述非极性C 4-C10碳烃溶剂之浓度在1-80%重量比。 22.根据申请专利范围第16项所述之制法,其特征为 如分子式(2)之所述烷基金属卤化物于所述非极性 溶剂之浓度为5-40%重量比。 23.根据申请专利范围第17项所述之制法,其特征为 如分子式(2)之所述烷基金属卤化物于所述非极性 碳烃溶剂之浓度为5-40%重量比。 24.根据申请专利范围第18项所述之制法,其特征为 如分子式(2)之所述烷基金属卤化物于所述非极性C 4-C10碳烃溶剂之浓度为5-40%重量比。 25.根据申请专利范围第16项所述之制法,其特征为 如分子式(2)之所述烷基金属卤化物于所述非极性 溶剂之浓度为10-30%重量比。 26.根据申请专利范围第17项所述之制法,其特征为 如分子式(2)之所述烷基金属卤化物于所述非极性 碳烃溶剂之浓度为10-30%重量比。 27.根据申请专利范围第18项所述之制法,其特征为 如分子式(2)之所述烷基金属卤化物于所述非极性C 4-C10碳烃溶剂之浓度为10-30%重量比。 28.根据申请专利范围第16项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 29.根据申请专利范围第17项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 30.根据申请专利范围第18项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 31.根据申请专利范围第19项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 32.根据申请专利范围第20项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 33.根据申请专利范围第21项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 34.根据申请专利范围第22项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 35.根据申请专利范围第23项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 36.根据申请专利范围第24项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 37.根据申请专利范围第25项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 38.根据申请专利范围第26项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 39.根据申请专利范围第27项所述之制法,其特征为 如烷基金属卤化物(2)之溶液总容积不超过载体之 孔隙容积。 40.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤b)中,所述载体包括一种镁卤化物如分子式(1) 与所述分子式(2)之烷基金属卤化物溶液接触,所述 烷基金属卤化物莫耳数对所述载体克数之比値约 在0.01毫莫耳/克至约100毫莫耳/克之间。 41.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤b)中,所述载体包括一种镁卤化物如分子式(1) 与所述分子式(2)之烷基金属卤化物溶液接触,所述 烷基金属卤化物莫耳数对所述载体克数之比値为 约0.5毫莫耳/克至约2.0毫莫耳/克。 42.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤b)中,所述载体包括如分子式(1)之镁卤化物与 分子式(2)之烷基金属卤化物溶液接触,所述烷基金 属卤化物(2)对所述镁卤化物(1)之莫耳比约在0.01至 约100莫耳/莫耳之间。 43.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤b)中,所述载体包括如分子式(1)之镁卤化物与 分子式(2)之烷基金属卤化物溶液接触,所述烷基金 属卤化物(2)对所述镁卤化物(1)之莫耳比约为0.1莫 耳/莫耳至约10莫耳/莫耳。 44.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤b)中,所述载体包括如分子式(1)之镁卤化物与 分子式(2)之烷基金属卤化物溶液接触,所述烷基金 属卤化物(2)对所述镁卤化物(1)之莫耳比为约0.2至 约3.0莫耳/莫耳。 45.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征为 所述镁组成物含镁键接于羟基及镁键接于氧烃基, 具有实验式(3),其中R2为相同或不同之C2-C10烷基。 46.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 所述镁组成物含镁键接于羟基及镁键接于氧烃基 如实验式(3),R3为相同或不同之C3-C20烷基。 47.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 所述镁组成物含镁键接于羟基及镁键接于氧烃基 如实验式(3),R3为相同或不同之支链C4-C10烷基。 48.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 所述镁组成物含镁键接于羟基及镁键接于氧烃基 如实验式(3),R3为相同或不同之2-乙基-1-己基或2-丙 基-1-戊基。 49.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 所述镁组成物含镁键接至羟基及镁键接至氧烃基 如实验式(3),为一种二烷基镁如分子式(5)与一种醇 之接触产物: R22Mg (5) 其中相同或不同R2定义如前。 50.根据申请专利范围第49项所述之制法,其特征为 分子式(5)之二烷基镁为二丁基镁,丁基-乙基-镁或 丁基-辛基-镁。 51.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征为 所述镁组成物含镁键接至羟基及镁键接至氧烃基 如实验式(3)为接触二烷基镁与醇如分子式(6)之产 物, R3OH (6) 其中相同或不同R3定义如前。 52.根据申请专利范围第51项所述之制法,其特征为 所述分子式(6)之醇为一种2-烷基烷醇。 53.根据申请专利范围第51项所述之制法,其特征为 所述分子式(6)之醇为2-乙基-己醇或2-丙基-戊醇。 54.根据申请专利范围第49或51项所述之制法,其特 征在镁组成物含镁键接至羟基及一镁键接氧烃基 如实验式(3)为一个二烷基镁与一个醇之接触产物, 醇对二烷基镁莫耳比为0.01-100莫耳/莫耳。 55.根据申请专利范围第49或51项所述之制法,其特 征在镁组成物含镁键接至羟基及一镁键接氧烃基 如实验式(3)为一个二烷基镁与一个醇之接触产物, 醇对二烷基镁莫耳比为1.0-5.0莫耳/莫耳。 56.根据申请专利范围第49或51项所述之制法,其特 征在镁组成物含镁键接至羟基及一镁键接氧烃基 如实验式(3)为一个二烷基镁与一个醇之接触产物, 醇对二烷基镁莫耳比为1.7-2.0莫耳/莫耳。 57.根据申请专利范围第49或51项所述之制法,其特 征在镁组成物含镁键接至羟基及一镁键接氧烃基 如实验式(3)为一个二烷基镁与一个醇之接触产物, 醇对二烷基镁莫耳比为1.8-1.98莫耳/莫耳。 58.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤c)中所述载体,或视需要,所述第一反应产物与 所述镁组成物含镁键接至羟基及镁键接至氧羟基 如实验式(3),按镁莫耳/载体克数之比値在0.001-1000 毫莫耳/克载体,(克载体在此指用载体作第一反应 产物原料之克数)相接触。 59.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤c)中所述载体,或视需要,所述第一反应产物与 所述镁组成物含镁键接至羟基及镁键接至氧羟基 如实验式(3),按镁莫耳/载体克数之比値为0.1-10毫 莫耳/克载体,(克载体在此指用载体作第一反应产 物原料之克数)相接触。 60.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 步骤c)中,所述载体或第一产物与镁组成物(3)在碳 烃溶液中接触。 61.根据申请专利范围第60项所述之制法,其特征为 所述溶液浓度为5-60%重量比。 62.根据申请专利范围第60项所述之制法,其特征在 所述溶液之容积约为载体或所述第一产物孔隙容 积之两倍。 63.根据申请专利范围第61项所述之制法,其特征在 所述溶液之容积约为载体或所述第一产物孔隙容 积之两倍。 64.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 所述分子式(4)之钛卤化物,其中R4为C2-C8烷基。 65.根据申请专利范围第l项所述之制法,其特征在 所述分子式(4)之钛卤化物,其中R4为C2-C6烷基。 66.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征为 所述分子式(4)之钛卤化物,其中X2为氯。 67.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征为 所述分子式(4)之钛卤化物,其中n3为0。 68.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征为 所述分子式(4)之钛卤化物为四氯化钛。 69.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 添加一种如分子式(7)之钛化合物至所述分子式(4) 之钛化合物作反应: (R5O)n4TiX34-n4 (7) 其中R5为相同或不同之C1-C20烷基,X3为相同或不同 之卤素,n4为一整数1-4,及Ti为四价钛。 70.根据申请专利范围第69项所述之制法,其特征在 添加一种如分子式(7)之钛化合物至所述分子式(4) 之钛化合物作反应: (R5O)n4TiX34-n4 (7) 其中R5为相同或不同之C2-C8烷基,X3为氯,n4为一整数 1-4,及Ti为四价钛。 71.根据申请专利范围第69项所述之制法,其特征在 添加一种如分子式(7)之钛化合物至所述分子式(4) 之钛化合物作反应: (R5O)n4TiX34-n4 (7) 其中R5为相同或不同之C2-C6烷基,X3为氯,n4为一整数 1-4,及Ti为四价钛。 72.根据申请专利范围第69项所述之制法,其特征为 四氯化钛与四-(C1-C6烷氧基)钛盐反应。 73.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征在 所述第二产物与所述分子式(4)之钛化合物按该钛 化合物莫耳数/克载体之比値0.01-10毫莫耳/克载体 相接触。 74.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征为 所述第二产物与所述分子式(4)之钛化合物按该钛 化合物莫耳镁/总莫耳比値0.05-2莫耳/莫耳相接触 。 75.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征为 所述第二产物与所述分子式(4)之钛化合物按该钛 化合物莫耳镁/总莫耳比値为0.1-1.2莫耳/莫耳相接 触。 76.根据申请专利范围第1项所述之制法,其特征为 所述第二产物与所述分子式(4)之钛化合物按该钛 化合物莫耳镁/总莫耳比値为0.2-0.7莫耳/莫耳相接 触。 77.一种用于产制烯类聚合物之高活性触媒组份,其 特征为该触媒系由根据申请专利范围第1或2项所 述之制法所制得者。 78.一种根据申请专利范围第77项所述之高活性触 媒组份,其特征使用于产制低熔流速乙烯聚合物及 高熔流速乙烯聚合物呈现高活性。 79.一种产自至少两聚合反应阶段之聚乙烯组成物, 其系使用依申请专利范围第77项之触媒组份,该聚 乙烯组成物具有SHI5/300高于60,其特征为具有低凝 胶程度。 80.一种薄膜,产自根据申请专利范围第79项所述组 成物,其特征为凝胶粒子数在尺寸等级0.3-0.7毫米 及>0.7毫米时分别为<20及0。 81.根据申请专利范围第77项所得高活性触媒组份, 使用于烯类聚合反应。 82.根据申请专利范围第77项所得高活性触媒组份, 使用于乙烯之均相聚合或共聚合。 83.根据申请专利范围第78项所得高活性触媒组份, 使用于烯类聚合反应。 84.根据申请专利范围第78项所得高活性触媒组份, 使用于乙烯之均相聚合或共聚合。 85.根据申请专利范围第81项所得高活性触媒组份, 使用连同共触媒如分子式(9): R6n5AlX43-n5 (9) 其中R6单独为C1-C20烷基,X为卤素n5为1-3。 86.根据申请专利范围第82项所得高活性触媒组份, 使用连同共触媒如分子式(9): R6n5AlX43-n5 (9) 其中R6单独为C1-C20烷基,X为卤素n5为1-3。 87.根据申请专利范围第83项所得高活性触媒组份, 使用连同共触媒如分子式(9): R6n5AlX43-n5 (9) 其中R6单独为C1-C20烷基,X为卤素,n5为1-3。 88.根据申请专利范围第84项所得高活性触媒组份, 使用连同共触媒如分子式(9): R6n5AlX43-n5 (9) 其中R6单独为C1-C20烷基,X为卤素,n5为1-3。 |
