| 主权项 |
1.一种覆晶封装方法,包括下列步骤: 提供一散热片,系具有一镀有金膜的表面及一裸露 面; 提供一晶片,该晶片具有一作用表面系设有多个接 合点、及一接合面; 加热该散热片到350℃以上; 将该晶片的该接合面置于该散热片的该金膜并使 之交互磨擦,藉此产生金矽的交互扩散作用以结合 该晶片于该散热片; 将该晶片的作用表面以覆晶方式设置于一基板上; 及 提供一底部填料,充填于该晶片及该基板之间。 2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装方法,其中 包括提供一夹具夹合该晶片以将该晶片的该接合 面置于该散热片的该金膜的步骤。 3.如申请专利范围第2项所述之覆晶封装方法,进一 步包括由该夹具加热该晶片的步骤。 4.如申请专利范围第3项所述之覆晶封装方法,其中 加热该晶片的温度在150℃至200℃之间。 5.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装方法,其中 包括提供一治具以固定该散热片的步骤。 6.如申请专利范围第5项所述之覆晶封装方法,其中 系由该治具加热该散热片的该裸露面。 7.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装方法,其中 加热该散热片的温度范围在350℃以上并450℃以下 。 8.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装方法,其中 交互磨擦该晶片的该接合面与该散热片的该金膜 的时间在15秒以上。 9.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装方法,其中 交互磨擦该晶片的该接合面与该散热片的该金膜 的时间在25秒以下。 10.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装方法,其 中系在热氮气遮护的环境中进行,藉此以防止矽之 高温氧化。 11.一种覆晶封装结构,包括: 一散热片,系具有一镀有金膜的表面及一裸露面; 一晶片,系具有一作用表面系设有接合点、及一接 合面; 一金矽合金层,系形成于该散热片的该金膜及该晶 片的该接合面之间; 一基板,该晶片的该作用表面以覆晶方式设置于该 基板上;及 一底部填料,系充填于该晶片及该基板之间。 12.如申请专利范围第11项所述之覆晶封装结构,进 一步具有一封胶体系包围于该散热片的周围及该 基板之间。 13.一种覆晶封装方法,包括: 提供一散热片,其具有一镀有金膜的表面及一裸露 面; 提供一晶片,该晶片具有一作用表面系设有多个接 合点、及一接合面;及 施以合金热压合技术于该晶片的该接合面与该散 热片的该金膜之间,藉此产生金矽的交互扩散作用 以结合该晶片于该散热片; 将该晶片的作用表面以覆晶方式设置于一基板上; 及 提供一底部填料,充填于该晶片及该基板之间。 14.如申请专利范围第13项所述之覆晶封装方法,其 中包括提供一夹具夹合该晶片以将该晶片的该接 合面置于该散热片的该金膜的步骤。 15.如申请专利范围第14项所述之覆晶封装方法,进 一步包括由该夹具加热该晶片的步骤。 16.如申请专利范围第15项所述之覆晶封装方法,其 中加热该晶片的温度在150℃至200℃之间。 17.如申请专利范围第13项所述之覆晶封装方法,其 中包括提供一治具以固定该散热片的步骤。 18.如申请专利范围第17项所述之覆晶封装方法,其 中包括由该治具加热该散热片的该裸露面的步骤 。 19.如申请专利范围第18项所述之覆晶封装方法,其 中加热该散热片的温度范围在350℃以上并450℃以 下。 20.如申请专利范围第13项所述之覆晶封装方法,其 中包括交互磨擦该晶片的该接合面与该散热片的 该金膜的步骤。 21.如申请专利范围第20项所述之覆晶封装方法,其 中交互磨擦该晶片的该接合面与该散热片的该金 膜的时间在时间在15秒以上。 22.如申请专利范围第20项所述之覆晶封装方法,其 中交互磨擦该晶片的该接合面与该散热片的该金 膜的时间在时间在25秒以下。 23.如申请专利范围第13项所述之覆晶封装方法,其 中系在热氮气遮护的环境中进行,藉此以防止矽之 高温氧化。 图式简单说明: 第一图:为先前技术覆晶封装中晶片置于基板的示 意图。 第二图:为先前技术覆晶封装中底部填胶的示意图 。 第三图:为先前技术覆晶封装中散热片黏接于晶片 的示意图。 第四图:系本发明之覆晶封装方法中散热片镀金膜 之示意图。 第五图:系本发明之覆晶封装方法中晶片与散热片 进行热压合的示意图。 第六图:系本发明之覆晶封装方法中晶片黏接于散 热片的示意图。 第七图:系本发明之覆晶封装方法中晶片置于基板 并进行底部填胶的示意图。 |
