| 主权项 |
1.一种介电体陶瓷组合物,其主要成分含有以 AgaCubNbcTadO3表示之组成,于上述AgaCubNbcTadO3中,其满 足以下各条件: 0.7≦a≦0.95、 0.05≦b≦0.3、 0.4≦c≦0.6、及 0.4≦d≦0.6, 并且满足以下条件: 0.95≦(a+b)/(c十d)≦1.02。 2.如请求项1之介电体陶瓷组合物,其中进而满足0.7 ≦a≦0.8及0.2≦b≦0.3之各条件。 3.如请求项1之介电体陶瓷组合物,其中对于上述主 要成分100重量份,作为副成分,进而以将矽氧化物 换算为SiO2时为5重量份以下,以及/或者将锰氧化物 换算为MnO2时为5重量份以下之比例含有。 4.如请求项2之介电体陶瓷组合物,其中对于上述主 要成分100重量份,作为副成分,进而以将矽氧化物 换算为SiO2时为5重量份以下,以及/或者将锰氧化物 换算为MnO2时为5重量份以下之比例含有。 5.一种陶瓷电子零件,其包含介电体陶瓷部分,其含 有请求项1至4中任何一项之介电体陶瓷组合物之 烧结体;及导体部分,其以接于上述介电体陶瓷部 分之方式形成。 6.如请求项5之陶瓷电子零件,其中藉由以下结构形 成积层陶瓷电容器:上述介电体陶瓷部分构成积层 之复数个介电体陶瓷层,并且上述导体部分构成复 数个内部电极,其系介隔以上述介电体陶瓷层以相 互对向之方式沿上述介电体陶瓷层间之界面分别 形成。 图式简单说明: 图1系图解性表示作为含有使用本发明之介电体陶 瓷组合物之陶瓷电子零件之一例的积层陶瓷电容 器1之剖面图。 图2系表示根据本发明实施之实验例4中制作的试 料之积层陶瓷电容器之电容变化率的温度特性。 |
