| 主权项 |
1.一种薄膜,系由含有结晶性聚芳基酮树脂(A)、非 晶性聚醚醯亚胺树脂(B)、以及对树脂(A)和树脂(B) 之合计100重量份为5至50重量份之填充剂之树脂组 成物所成之薄膜,而其特征为:测定薄膜之示差扫 描热量,以加热速度10℃/分钟升温时,所测定之结 晶化峰値温度Tc(A+B)为能满足下述式者 Tc(A)<Tc(A+B)≦Tg(B)+20 上式中,各特性値均为藉由示差扫描热量测定,以 加热速度10℃/分钟升温时所测定之値,而Tc(A)表示 结晶性聚芳基酮树脂(A)单体之结晶化峰値温度(℃ )、Tc(A+B)表示该薄膜之结晶化峰値温度(℃)、Tg(B) 表示非晶性聚醚醯亚胺树脂(B)单体薄膜之玻璃转 化温度(℃)。 2.如申请专利范围第1项之薄膜,其中,结晶化峰値 温度Tc(A+B)为 Tc(A)+10≦Tc(A+B)≦Tg(B)者。 3.如申请专利范围第1项之薄膜,其中,结晶性聚芳 基酮树脂(A)系以具有下述构造式(1)之反覆单元之 聚醚醚酮树脂为主成份,而非晶性聚醚醯亚胺树脂 (B)系以具有下述构造式(2)之反覆单元之聚醚醯亚 胺树脂为主成份者 4.如申请专利范围第1项之薄膜,其中,填充剂为无 机填充剂,且对结晶性聚芳基酮树脂(A)和非晶性聚 醚醯亚胺树脂(B)之合计100重量份为含有10至40重量 份者。 5.如申请专利范围第1项之薄膜,其中,由结晶性聚 芳基酮树脂(A)与非晶性聚醚醯亚胺树脂(B)而成之 混合树脂之结晶熔化峰値温度为260℃以上,且混合 重量比为A/B=70至30/30至70者。 6.一种薄膜,系将申请专利范围第1至5项中任一项 之薄膜以下述式所定之値为0.9以上方式进行结晶 化处理而得者, (Hm-Hc)/Hm 在此,Hm为依示差扫描热量测定而升温时所测定 之薄膜之结晶熔化热量(J/g),Hc为因升温中之结 晶化而产生之结晶化热量(J/g)。 7.如申请专利范围第6项之薄膜,其中,结晶化处理 系于薄膜制程线外(outline)施行结晶化法。 8.如申请专利范围第6项之薄膜,其中,线膨胀系数 为3010-6/℃以下,且端裂阻力値在纵方向及横方向 均为40MPa以上者。 9.一种金属积层板,系于申请专利范围第1项至第5 项中任一项之薄膜之至少1面上,不介由黏接层而 积层金属体所成者。 10.如申请专利范围第9项之金属积层板,其中,金属 体为铜、铝、或不锈钢者。 11.如申请专利范围第9项之金属积层板,其中,金属 体系藉由热熔接而积层于薄膜上者。 12.一种金属积层板,系于申请专利范围第6项之薄 膜之至少1面上,不介由黏接层而积层金属体所成 者。 13.如申请专利范围第12项之金属积层板,其中,金属 体为铜、铝、或不锈钢者。 14.一种金属积层板,系于申请专利范围第7项之于 薄膜制程线外结晶化处理所得之薄膜之至少1面上 ,不介由黏接层而积层金属体所成者。 15.如申请专利范围第14项之金属积层板,其中,该金 属体为铜、铝、或不锈钢者。 |
