| 主权项 |
1.一种曝光方法,其包含步骤: (a)提供一基板,其中该基板包含一沟渠区域与一非 沟渠区域; (b)以一热垫板承载该基板,并使该热垫板之复数个 支撑点相对于该基板之该非沟渠区域;以及 (c)于该基板上进行光阻涂布与烘烤制程。 2.如申请专利范围第1项所述之曝光方法,其中该基 板系为一晶圆。 3.如申请专利范围第1项所述之曝光方法,其中该步 骤(a)更包括步骤: (a1)于该基板上形成一光阻层;以及 (a2)定义一曝光区域与一非曝光区域,进行微影蚀 刻制程,以于该基板上形成该沟渠区域与非沟渠区 域。 4.如申请专利范围第1项所述之曝光方法,其中该非 沟渠区域实质上呈O形或Y形。 5.如申请专利范围第1项所述之曝光方法,其中该步 骤(c)更包括步骤: (c1)将该基板加热以进行去水烘烤; (c2)冷却该基板; (c3)于该基板上涂布一六甲基二矽氮(HMDS); (c4)将该基板加热以进行烘烤; (c5)将该基板冷却,并进行该光阻涂布制程; (c6)将已涂布光阻之该基板加热以进行软烤;以及 (c7)将该基板冷却。 6.一种沟渠式功率半导体元件之制造方法,其至少 包含步骤: (a)提供一基板; (b)于该基板上形成一沟渠区域与一非沟渠区域; (c)以一热垫板承载该基板,并使该热垫板之复数个 支撑点相对于该基板之该非沟渠区域;以及 (d)于该基板上进行光阻涂布与烘烤制程。 7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该基板系 为一晶圆。 8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该步骤(b) 更包括步骤: (b1)于该基板上形成一光阻层;以及 (b2)定义一曝光区域与一非曝光区域,进行微影蚀 刻制程,以于该基板上形成该沟渠区域与非沟渠区 域。 9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该非沟渠 区域实质上呈O形或Y形。 10.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该步骤(d )更包括步骤: (d1)将该基板加热以进行去水烘烤; (d2)冷却该基板; (d3)于该基板上涂布一六甲基二矽氮(HMDS); (d4)将该基板加热以进行烘烤; (d5)将该基板冷却,并进行该光阻涂布制程; (d6)将已涂布光阻之该基板加热以进行软烤;以及 (d7)将该基板冷却。 图式简单说明: 第一图:其系显示一晶圆经过烘烤制程后产生裂痕 之结构示意图。 第二图(a)~(b):其系显示本案方法于晶圆上形成不 同形状之非沟渠区域之结构示意图。 第三图(a)~(b):其系显示本案方法于晶圆上形成不 同形状之非沟渠区域之另一结构示意图。 |
