| 主权项 |
1.一种那替格利尼得(Nateglinide,N-(反式-4-异丙基环 己基羰基)-D-苯基丙氨酸)结晶之制造方法,其特征 为包含反式-4-异丙基环己基羰基氯与D-苯基丙胺 酸于选自丙酮及甲基乙基酮的酮系溶媒及水的混 合溶媒中硷存在下,于pH10~14.3,温度为20℃以下进行 反应所取得的含有那替格利尼得之反应液中,添加 酸使其成为酸性,并调整温度为58~72℃及酮系溶媒 浓度之范围为超过8wt%而未达22wt%下,进行10分钟至 24小时晶析步骤者。 2.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该酮系溶 媒浓度之调整,藉由于该反应液中添加酮系溶媒进 行。 3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该酮系溶 媒浓度之调整,藉由于该醯基化反应液中添加丙酮 进行。 4.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该酮系溶 媒全为丙酮,该晶析时的反应液中之丙酮浓度为12~ 16wt%。 5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中该结晶为 H型结晶。 6.一种那替格利尼得的结晶,其为藉由如申请专利 范围第1项之方法所得的那替格利尼得之结晶,其 特征为该结晶之平均长径为1mm以上,平均短径为0.1 mm以上。 7.如申请专利范围第6项之结晶,其中该结晶为H型 结晶。 8.一种经凝集的那替格利尼得结晶之制造方法,其 特征为包含将反式-4-异丙基环己基羰基氯与D-苯 基丙胺酸于选自丙酮及甲基乙基酮的酮系溶媒及 水的混合溶媒中且硷存在下,于pH10~14.3,温度为20℃ 以下进行反应所取得的含有那替格利尼得之反应 液,添加于酸中使其成为酸性,再加入酮系溶剂使 酮系溶剂浓度为超过8wt%而未达22wt%,及温度为58~72 ℃的范围下进行10分钟至24小时晶析步骤者。 9.如申请专利范围第8项之制造方法,其中作为酮系 溶媒添加丙酮至10~ 16%之浓度,温度为63~65℃的范围 下进行15~20小时的搅拌熟成后凝集结晶者。 10.一种结晶,其为如申请专利范围第9项之制造方 法所得之那替格利尼得结晶,其特征为结晶之平均 长径为1mm以上,平均短径为0.1mm以上。 |
