晶圆级堆叠多晶片之封装方法

摘要

本发明揭示一种晶圆级堆叠多晶片之封装方法，包括下列步骤：提供一晶片阵列，其包含复数个独立之第一晶片，系由第一晶圆切割而成；提供第二晶圆，其包含复数个尚未分离之第二晶片，且其晶片主动表面上具有一黏着层；从该第二晶圆之晶片主动表面预切该些第二晶片至一深度；以该第二晶圆之晶片主动表面朝该些第一晶片之晶片背面堆叠，使每一该些第二晶片仅与一个第一晶片堆叠。以及，从该第二晶圆之晶片背面进行薄化，以同时形成复数个单独分离之第二晶片堆叠在单独分离第一晶片上。