光二极体之结构

摘要

本发明系为一种光二极体之结构，其结构为p–i–n磊晶层形成于半绝缘体基板上，其p–i–n磊晶层由P掺杂层、本质层、N掺杂层磊晶形成，在本质层(吸光层)中加入低生命载子周期的半导材料和一般单晶的半导体材料层，可降低电容，增加元件输出功率，改善载子传输时间和本质层电容设计上的抵触(trade–off)。