氮化镓系多重量子井发光二极体之低电阻n型接触层结构

摘要

本发明提出一种用于氮化镓系多重量子井发光二极体之n型接触层之结构。此n型接触层系藉由组合两种组成不同的氮化铝镓所形成的超晶格结构，可以得到高掺杂浓度(＞1x10^19cm^–3)且低电阻的n型氮化镓接触层。此外，利用铝、铟、镓各成份的调配可以得到两两晶格常数相匹配的晶膜，而不会造成在n型接触层内因重掺杂而龟裂，改善重掺杂接触层的品质，且减少n型欧姆接触制造的困难，进而会大大降低整个氮化镓系多重量子井发光二极体的操作电压。