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发明名称
以薄膜技术制成半导体晶片所用之方法及以薄膜技术制成之半导体晶片
摘要
一种以薄膜技术制造半导体晶片(1)用之方法,在生长基板(3)上施加一活性之层序列,然后在活性之层序列上形成导电之反射式接触材料层(4)。使活性之层序列和接触材料层结构化成活性之层堆叠(2),使每一活性之层堆叠(2)上存在着导电之反射式接触材料层(4)。然后,在该接触材料层(4)上施加可挠性之导电箔(6)以作为辅助载体层且去除该生长基板。
申请公布号
TW200610199
申请公布日期
2006.03.16
申请号
TW094125559
申请日期
2005.07.28
申请人
欧斯朗奥托半导体股份有限公司
发明人
柏尚德翰;佛克哈勒;史蒂芬凯瑟;安德利亚斯普洛索
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
何金涂;林荣琳
主权项
地址
德国
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