发明名称 有机半导体元件
摘要 通过将新概念引入知有机半导体元件的结构,而不使用知超薄薄膜,提供更可靠和具有更高产量的有机半导体元件。而且,尤其提高使用有机半导体的光电子装置的效率。在阳极和阴极之间设置有机结构,该有机结构包括交替层叠的通过使SCLC流动实现各种功能的有机薄膜层(功能有机薄膜层),和通过用受体和施体掺杂导电薄膜层,或通过类似的方法充满暗导电率的导电薄膜层(欧姆导电薄膜层)。
申请公布号 TW200610170 申请公布日期 2006.03.16
申请号 TW094142351 申请日期 2002.12.05
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 筒井哲夫;山崎宽子;濑尾哲史
分类号 H01L31/042 主分类号 H01L31/042
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本