发明名称 表面发光半导体雷射及其制造方法以及电子元件之制造方法
摘要 本发明提供一种可以如单一横模式般之单峰性光束实现雷射振荡之表面发光半导体雷射、以及可容易且高良率地制造该表面发光半导体雷射的制造方法。于n型半导体基板11上制造柱型凸状结构之表面发光半导体雷射时,形成平台部,形成至p侧电极20以及n侧电极23后,于p侧电极20以及n侧电极23间施加电压,一边出射输出光一边将表面发光半导体雷射曝露于水蒸气环境下,藉此于p型DBR层17之最上层的p型AlwGa1–wAs层17b形成Al氧化层21,形成如凹透镜般之折射率分布。
申请公布号 TW200610242 申请公布日期 2006.03.16
申请号 TW094117073 申请日期 2005.05.25
申请人 新力股份有限公司 发明人 渡部义昭;成井启修;黑水勇一;山内义则;田中嘉幸
分类号 H01S5/18 主分类号 H01S5/18
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本
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