发明名称 具阵列式奈米孔洞之氧化铝薄膜的制造方法
摘要 本发明提出一种具阵列式奈米孔洞之氧化铝薄膜的制造方法,首先提供一商用铝基材,将商用铝基材经过退火处理,再经过电解抛光处理,以使铝基材表面呈现镜面效果,并接着进行阳极处理,使铝基材表面上形成一含有奈米级之数孔洞的氧化铝薄膜,且孔洞呈现阵列式排列,再来进行热处理,使铝基材产生氧化反应,而使部分较小孔洞被产生氧化反应之氧化物因自我扩散效应填满,使得孔洞均一化,最后再进行扩孔处理,以使孔洞扩张。本发明可简化制程、便于控制制造过程之操作,并可在同时降低成本下,在氧化铝薄膜上得出均一孔径且具阵列式排列之奈米孔洞分布。
申请公布号 TW200609384 申请公布日期 2006.03.16
申请号 TW093126977 申请日期 2004.09.07
申请人 国立交通大学 发明人 朝春光;陈建仲;陈蓉萱;郭金国
分类号 C25D11/04 主分类号 C25D11/04
代理机构 代理人 林火泉
主权项
地址 新竹市大学路1001号