发明名称 全缺乏SOI多临界电压应用FULLY DEPLETED SOI MULTIPLE THRESHOLD VOLTAGE APPLICATION
摘要 一种积体电路,包括一基材与形成于基材中之一埋式介电层。埋式介电层具有第一厚度于第一区中、具有第二埋式介电层厚度于第二区中,以及具有一阶梯介于第一与第二区之间。一半导体层位于埋式介电层上。
申请公布号 TW200610019 申请公布日期 2006.03.16
申请号 TW094113735 申请日期 2005.04.28
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 陈豪育;张长昀;李迪弘;杨富量
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号