双重功函数金属闸电极

摘要

一种具有双重功函数结构之半导体元件，例如，电晶体的双重功函数金属闸电极。在一较佳实施例之中，P型金属氧化半导体(PMOS)电晶体与N型金属氧化半导体(NMOS)电晶体形成于一半导体元件之上。首先在此电晶体上形成一假闸电极与一假介电层。移除此假闸电极与假介电层。形成一闸介电层与一第一电极层。在N型金属氧化半导体(NMOS)电晶体上进行一氮化制程以降低此闸电极之功函数。在第一电极层之上形成一第二电极层。