发明名称 半导体装置
摘要 依据本发明之一态样,一半导体装置包括:一半导体晶片,其内部具有一第一金属热传导媒介;一基板,其具有与该第一金属热传导媒介热连接的一第二金属热传导媒介;以及一温度控制装置,其至少一部分设置于该基板上,并与该第二金属热传导媒介热连接,且配置来控制该半导体晶片内的该温度。
申请公布号 TW200610016 申请公布日期 2006.03.16
申请号 TW094103110 申请日期 2005.02.01
申请人 东芝股份有限公司 发明人 莲沼正彦
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本