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发明名称
有机半导体元件
摘要
通过将新概念引入知有机半导体元件的结构,而不使用知超薄薄膜,提供更可靠和具有更高产量的有机半导体元件。而且,尤其提高使用有机半导体的光电子装置的效率。在阳极和阴极之间设置有机结构,该有机结构包括交替层叠的通过使SCLC流动实现各种功能的有机薄膜层(功能有机薄膜层),和通过用受体和施体掺杂导电薄膜层,或通过类似的方法充满暗导电率的导电薄膜层(欧姆导电薄膜层)。
申请公布号
TW200610439
申请公布日期
2006.03.16
申请号
TW094142350
申请日期
2002.12.05
申请人
半导体能源研究所股份有限公司
发明人
筒井哲夫;山崎宽子;濑尾哲史
分类号
H05B33/14
主分类号
H05B33/14
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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