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发明名称
介电结构
摘要
本发明系揭示特别适合供具有介电材料层之电容器用之介电结构,其包含提供正向拓朴图(positive topography)之掺杂剂。亦揭露该种介电结构之形成方法。该种介电结构显示与后续施加之导电层之黏合性增加。
申请公布号
TW200609962
申请公布日期
2006.03.16
申请号
TW094125531
申请日期
2005.07.28
申请人
罗门哈斯电子材料有限公司
发明人
齐尼克 玛莉亚 安娜
分类号
H01G4/018
主分类号
H01G4/018
代理机构
代理人
洪武雄;陈昭诚
主权项
地址
美国
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