使用以氩稀释之高压F2电浆之高速蚀刻HIGH RATE ETCHING USING HIGH PRESSURE F2 PLASMA WITH ARGON DILUTION

摘要

本发明提供F2在沉积室清洗制程中之用途，其在高压条件下作业时尤其有效。另外，本发明提供F2在高压下以一高蚀刻速度实施基板蚀刻或晶圆薄化程序中之用途。