半导体溅镀系统

摘要

一种半导体溅镀系统，含有一电浆反应室，一靶材，一支撑托架，一射频线圈，一射频极性切换控制电路及一射频匹配电路。靶材乃位于电浆反应室内，用以溅击出溅镀所需之金属原子。支撑托架亦位于电浆反应室内，乃用于支撑基材。射频线圈乃位于电浆反应室内，当一射频电流通过射频线圈时，可产生电浆以离子化由靶材溅击出之金属原子。射频极性切换控制电路则与射频线圈耦接，并以一切换频率切换进入射频线圈之射频电流极性。射频匹配电路乃与射频极性切换控制电路及射频电源耦接，以将射频电流由射频电源传递至射频极性切换控制电路。