发明名称 |
移除离子植入光阻剂用之不含非氟化物之超临界流体组成物 |
摘要 |
本发明说明一种用于自具有离子植入光阻剂之半导体基板将此种光阻剂移除之方法及组成物。此移除组成物包含超临界CO2(SCCO2)、共溶剂及还原剂,以用于移除离子植入光阻剂。此种移除组成物克服SCCO2作为移除剂之固有缺陷,即SCCO2之非极性特性及其相关之不具有将存在于光阻剂中且必需自半导体基板移除以达有效清洁之物种诸如无机盐及极性有机化合物溶解之能力。 |
申请公布号 |
TW200609347 |
申请公布日期 |
2006.03.16 |
申请号 |
TW094112011 |
申请日期 |
2005.04.15 |
申请人 |
尖端科技材料公司 |
发明人 |
麦克 科尔珊斯基;汤玛斯 鲍姆 |
分类号 |
C11D1/00;C11D3/02;C11D3/43;C11D7/02;G03F7/40;B08B7/00 |
主分类号 |
C11D1/00 |
代理机构 |
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代理人 |
赖经臣;宿希成 |
主权项 |
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地址 |
美国 |