发明名称 串接的电荷陷入记忆胞的操作装置与操作方法
摘要 一种串接的记忆胞,此串接的记忆胞具有电荷陷入结构,并利用选择由字元线所选定的记忆胞部分,对串接的记忆胞进行读取。记忆胞系藉由打开串接的记忆胞一侧上的传递电晶体的其中之一所选定。所选定部分的电荷储存状态系藉由测量连接所有传递电晶体的位元线上的电流所决定。
申请公布号 TW200609944 申请公布日期 2006.03.16
申请号 TW093138538 申请日期 2004.12.13
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 叶致锴
分类号 G11C16/02;H01L21/8247 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行路16号