发明名称 |
光阻图型之形成方法及使用其形成微细图型之方法,以及液晶显示元件之制造方法 |
摘要 |
本发明系揭示能形成或具有优良耐蚀性及耐热性之段状光阻图型的光阻图型之形成方法,其具有经(A)于基体上形成光阻被膜之步骤,及(B)含选择性曝光之光微影蚀刻步骤而将光阻被膜制图为具有肉厚部r1及肉薄部r2之段状光阻图型R形状的步骤,又,其系使用含有(a)凝胶渗透色谱法求取之聚苯乙烯换算质量平均分子量(Mw)超过8000之硷可溶性酚醛清漆树脂、(b)含二叠氮基化合物及(d)有机溶剂之正型光阻组成物形成光阻被膜的光阻图型之形成方法。 |
申请公布号 |
TW200609677 |
申请公布日期 |
2006.03.16 |
申请号 |
TW094122387 |
申请日期 |
2005.07.01 |
申请人 |
东京应化工业股份有限公司 |
发明人 |
森尾公隆 |
分类号 |
G03F7/039;G03F7/20;H01L21/027;G02F1/1333 |
主分类号 |
G03F7/039 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
主权项 |
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地址 |
日本 |