发明名称 | 利用超临界二氧化碳处理以处理基板的系统及方法 | ||
摘要 | 一种薄膜去除系统中的基板处理方法及系统。本方法系包括将基板设置在一薄膜去除系统的基板腔室之中,其中基板系具有一微特征部,包含微特征部之侧壁之上的一介电膜与覆盖于一部份之介电膜的一光阻膜、及利用超临界CO2处理执行一第一薄膜去除处理,俾去除未被光阻膜覆盖的一部份之介电膜。接续于第一薄膜去除处理之后的是:利用超临界CO2处理执行第二薄膜去除处理,俾去除光阻膜。又,利用湿式处理执行第一薄膜去除处理或第二薄膜去除处理之其中一个。 | ||
申请公布号 | TW200610044 | 申请公布日期 | 2006.03.16 |
申请号 | TW094121888 | 申请日期 | 2005.06.29 |
申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 葛林 盖尔;约瑟夫T 海门;刚尼拉 约伯逊;班特力 帕梅尔 |
分类号 | H01L21/302;C23C16/44 | 主分类号 | H01L21/302 |
代理机构 | 代理人 | 周良谋;周良吉 | |
主权项 | |||
地址 | 日本 |