半导体装置之制造方法

摘要

本发明之手段系藉由提供一种半导体制造方法，包含以下步骤：在金属层之上，设置一钝化层；在该钝化层之上设置一介电层；在该介电层上设置一反反射层；进行蚀刻以及自我对准以产生一沟道；在该反反射层上沈积第一阻障层；藉由一 气而溅射该沟道；以及沈积第二阻障层于溅射后之沟道。