发明名称 Verfahren zum Herstellen von Kontaktöffnungen in einer mehrschichtigen Halbleiterstruktur
摘要
申请公布号 DE19716791(B4) 申请公布日期 2006.03.16
申请号 DE19971016791 申请日期 1997.04.22
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP.(N.D.GES.D.STAATES DELAWARE), SANTA CLARA 发明人 CHEN, HUNG-SHENG;NGUYEN, TIM
分类号 H01L21/283;H01L21/302;H01L21/768 主分类号 H01L21/283
代理机构 代理人
主权项
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