发明名称 Flashspeicherbauelement und Verfahren zur Defektblockbehandlung
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Flashspeicherbauelement mit einer Speicherzellenfeldeinheit (100), welche ausgeführt ist, um Daten und Defektblockinformation zu speichern, und einem Defektblock-Zuordnungsregister (200), welches ausgeführt ist, um temporär Defektblockinformation zu speichern, und auf ein zugehöriges Verfahren zur Defektblockbehandlung. DOLLAR A Erfindungsgemäß sind eine Adressenauswahlschaltung (300), welche ausgeführt ist, um eine bereitgestellte logische Adresse oder eine Reserviertblockadresse auszuwählen, welche mit der logischen Adresse korrespondiert, und eine Defektblockadresse zu erzeugen, und eine Defektblock-Zustandssteuerschaltung (400) vorhanden, welche ausgeführt ist, Defektblock-Zuordnungsinformation, basierend auf der Defektblockadresse, zu aktualisieren, die Anzahl von im Defektblock-Zuordnungsregister gespeicherten Defektblockadressen zu bestimmen, um die Auswahl durch die Adressenauswahlschaltung zu steuern, und die Defektblock-Zuordnungsinformation der Speicherzellenfeldeinheit zur Verfügung zu stellen. DOLLAR A Verwendung in der Flashspeichertechnik.
申请公布号 DE102005028827(A1) 申请公布日期 2006.03.16
申请号 DE200510028827 申请日期 2005.06.15
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 JO, SEONG-KUE
分类号 G11C29/24 主分类号 G11C29/24
代理机构 代理人
主权项
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