Halbleiterelement mit einem Metallisierungsschichtstapel mit kleinem epsilon mit erhöhter Widerstandsfähigkeit gegen Elektromigration

摘要

Es ist eine Technik offenbart, die die Herstellung einer Metallisierungsschicht ermöglicht, die im Wesentlichen aus einem dielektrischen Material mit kleinem epsilon aufgebaut ist, wobei eine Schicht mit Druckspannung für ein verbessertes Verhalten im Hinblick auf Elektromigration der Metallisierungsschicht sorgt. In speziellen Ausführungsformen wird eine Siliziumdioxidschicht mit Druckspannung auf oder in der Nähe einer dielektrischen Barrierenschicht und einer auf SiCOH basierenden Metallisierungsschicht gebildet.