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Bei Speicherschaltung mit in Reihe zwischen einer Masseleitung PL und einer Bitleitung BL geschalteten Speicherzellen 1, die jeweils ein Widerstandspeicherlement 3, das ein bipolares Schaltverhalten mit einer Anodenelektrode 32 und einer Kathodenelektrode 31 besitzt, und einen parallel zum Widerstandsspeicherelement geschalteten Ansteuertransistor ausweisen, sind die Ansteuertransistoren 2 der Speicherzellen jeweils mit einer Wortleitung verbunden, um den Ansteuertransistor so ein- und auszuschalten, dass in einem nicht aktivierten Zustand einer Speicherzelle ein Strompfad über den zugehörigen Ansteuertransistor und in einem aktivierten Zustand einer Speicherzelle ein Strompfad über das zugehörige Widerstandsspeicherelement ausgebildet ist, wobei ein erster Umschalter 4 an einem Ende und ein zweiter Umschalter 5 an anderen Enden der Reihe von Speicherzellen angeordnet ist, um in Abhängigkeit von einer angelegten Adresse wechselweise eine Verbindung der in Reihe geschalteten Speicherzellen zu der Masseleitung und der Bitleitung herzustellen.
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