| 发明名称 | 操作自旋注入操作磁随机存取存储器件的方法及相关器件 | ||
| 摘要 | 提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1747060A | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN200510091996.2 | 申请日期 | 2005.08.12 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑元哲;金奇南;郑弘植;郑基泰;朴哉炫 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);G11C7/00(2006.01);H01L43/00(2006.01);H01L27/10(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 林宇清;谢丽娜 |
| 主权项 | 1.一种操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构，该方法包括：通过磁隧道结结构提供写电流脉冲；以及通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲，其中至少部分写磁场脉冲相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及其中至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||