发明名称 覆晶连接埋入式被动元件的集成电路装置及其制造方法
摘要 一种覆晶连接埋入式被动元件的集成电路装置及其制造方法,提供一具有运算功能的覆晶芯片及一虚芯片,其中该集成电路装置包含有至少一埋入式被动元件、复数个重分配线路以及复数个覆晶接垫,该覆晶芯片较小于该虚芯片,且该覆晶芯片接合于在该虚芯片的表面上的覆晶接垫,该埋入式被动元件经由重分配线路与覆晶接垫而电性连接至该覆晶芯片,并在该虚芯片的该表面周边设置有复数个焊球。本发明通过具有埋入式被动元件的虚芯片与该覆晶芯片能被以不同的晶圆处理过程加以分别制作,达到高产出率与低制造成本,此外,由该覆晶芯片与该虚芯片所组成的集成电路装置具有传输快且不干扰的电性功能。
申请公布号 CN1747169A 申请公布日期 2006.03.15
申请号 CN200410074582.4 申请日期 2004.09.07
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 蔡孟锦
分类号 H01L27/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L27/00(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 党晓林
主权项 1、一种覆晶连接埋入式被动元件的集成电路装置,其特征在于,包含:一虚芯片,其具有一芯片接合面并包含至少一埋入式被动元件、复数个重分配线路及复数个显露在该芯片接合面的覆晶接垫,其中该埋入式被动元件经由该些重分配线路的其中至少之一而电性连接至该些覆晶接垫的其中至少之一;一覆晶芯片,其接合于该虚芯片的芯片接合面上,该覆晶芯片具有一主动面及一背面并包含复数个在该主动面的焊垫;复数个凸块,其连接该覆晶芯片的焊垫与该虚芯片的覆晶接垫。
地址 台湾省高雄市