| 发明名称 | 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种器件，其包括至少一个设置在由氮化镓构成的单晶衬底上的外延半导体层，该氮化镓衬底的位错密度小于大约10<SUP>4</SUP>cm<SUP>－2</SUP>、并且基本上没有倾斜边界并且氧杂质水平低于10<SUP>19</SUP>cm<SUP>－3</SUP>。该电子装置可以是比如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)应用的发光应用形式，并且可以是这样的器件：GaN基晶体管、整流器、晶闸管和共射共基开关等。还提供了一种形成由氮化镓构成的单晶衬底的方法，该氮化镓衬底的位错密度小于大约10<SUP>4</SUP>cm<SUP>－2</SUP>、并且基本上没有倾斜边界以及氧杂质水平低于10<SUP>19</SUP>cm<SUP>－3</SUP>，以及同质外延形成至少一个在衬底上的半导体层以及电子器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1748290A | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN200380109711.2 | 申请日期 | 2003.12.22 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | 马克·P·德维林;朴东实;史蒂文·F·莱博厄夫;拉里·B·罗兰;克里斯蒂·J·纳兰;洪慧聪;彼得·M·桑维克 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01);H01L21/02(2006.01);C30B25/20(2006.01);C30B29/40(2006.01);C30B9/12(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种GaN单晶，具有至少2毫米的最大尺寸、小于104cm-2的位错密度，基本上没有倾斜边界、小于1019cm-3的氧杂质水平。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||