发明名称 | 半导体激光器及其制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体激光器,它包括在衬底上形成的活性层和将活性层夹在中间的一对包层。在半导体激光器的谐振器端面102、104的至少一个面上有添加氢的第一介质膜109,在第一介质膜和谐振器端面之间设有防止氢扩散的第二介质膜108。这样当半导体激光器暴露于高温状态时,即使端面镀膜层中有添加氢的膜,端面镀膜脱离和端面镀膜变质的现象也能得到抑制。 | ||
申请公布号 | CN1245788C | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
申请号 | CN03106059.5 | 申请日期 | 2003.02.19 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 上田哲生;山根启嗣;木户口勋;藤森省司 |
分类号 | H01S5/028(2006.01) | 主分类号 | H01S5/028(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
主权项 | 1.一种包括在衬底上形成的活性层和将所述活性层夹在中间的一对包层的半导体激光器,其特征在于:在其谐振器端面的至少一个面上设有添加了氢的第一介质膜,在所述第一介质膜和所述谐振器端面上形成的氧化硅膜之间设有防止氢扩散的第二介质膜。 | ||
地址 | 日本大阪府门真市 |