| 发明名称 | 抛光剂及基片的抛光方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体制造工序等中适于基片表面平坦化用CMP技术的抛光剂和抛光方法。抛光剂是含有粒子和将上述粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是下列之一：(1)从氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物，(2)四价金属氧化物。使用这种抛光剂抛光的抛光方法，活用抛光剂中粒子的化学作用并且尽量减小机械作用，藉此能够兼容粒子引起的抛光损伤减少和抛光速度提高。 | ||
| 申请公布号 | CN1746255A | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN200510108259.9 | 申请日期 | 2002.02.20 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 町井洋一;小山直之;西山雅也;吉田诚人 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐川 |
| 主权项 | 1.抛光剂，是含有粒子及将所说粒子至少部分分散的介质的抛光剂，上述粒子是：由氧化铈、卤化铈和硫化铈中选择的，密度为3～6克/立方厘米而且次级粒子平均粒径为1～300纳米的铈化合物；和四价金属氢氧化物的至少一方。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||