发明名称 |
具有电子发射器件的电子源及图象形成装置的制造方法 |
摘要 |
一种电子源的制造方法,该电子源包括许多排列在基板上的电子发射器件,其中,每个所述电子发射器件通过包括下述步骤的方法制造:形成一对电极和一导电膜,将所述导电膜布置在所述电极对之间,并且与所述电极对相连;在所述导电膜中形成缝隙和形成一个涂膜,它布置在所述缝隙中,与所述导电膜相连,该涂膜是由单一元素、元素的合金、元素的混合物、或元素的氧化物制成,具有比所述导电膜的材料更高熔点,所述元素选自周期表中第5和第6周期中的第IVa、Va、VIa、VIIa、VIII族中的元素,由此在所述缝隙中形成比所述缝隙更窄的间隙,以便在所述导电膜中形成电子发射部分。 |
申请公布号 |
CN1245732C |
申请公布日期 |
2006.03.15 |
申请号 |
CN00104368.4 |
申请日期 |
1995.08.02 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
岩崎达哉;山野边正人;塚本健夫;山本敬介;浜元康弘 |
分类号 |
H01J1/30(2006.01);H01J9/02(2006.01);H01J31/12(2006.01) |
主分类号 |
H01J1/30(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
杜日新 |
主权项 |
1.一种电子源的制造方法,该电子源包括多个排列在基板上的电子发射器件,其中,每个所述电子发射器件通过包括下述步骤的方法制造:形成一对电极和一导电膜,将所述导电膜布置在所述电极对之间,并且与所述电极对相连;在所述导电膜中形成缝隙;和形成一个涂膜,它布置在所述缝隙中,与所述导电膜相连,该涂膜是由单一元素、元素的合金、元素的混合物、或元素的氧化物制成,具有比所述导电膜的材料更高熔点,所述元素选自周期表中第5和第6周期中的第IVa、Va、VIa、VIIa、VIIIa族中的元素,由此在所述缝隙中形成比所述缝隙更窄的间隙,以便在所述导电膜中形成电子发射部分。 |
地址 |
日本东京 |