| 发明名称 | 磁阻存储元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种磁阻存储元件，它包括磁阻元件和用于对上述磁阻元件施加磁场的配线；上述配线含有在同一方向上延伸的两根以上的导线。根据本发明，通过使用多配线的导线，将磁场施加在一个元件上，可以实现高速响应和抑制磁性交调失真现象。 | ||
| 申请公布号 | CN1245762C | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN01821397.9 | 申请日期 | 2001.12.26 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 小田川明弘;平本雅祥;松川望 |
| 分类号 | H01L27/105(2006.01);G11C11/14(2006.01);G11C11/15(2006.01) | 主分类号 | H01L27/105(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种磁阻存储元件，所述磁阻存储元件用于高速脉冲传送，其特征为，包括磁阻元件和用于给所述磁阻元件施加磁场的配线，所述配线含有在同一方向上延伸的两根以上的导线，所述两根以上的导线包括用于输入产生外加磁场的电流的信号线和保持预定电位的从动线。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||