串接的电荷陷入记忆胞的操作装置与操作方法

摘要

本发明是有关于一种串接的电荷陷入记忆胞的操作装置与操作方法。该串接的记忆胞具有电荷陷入结构，并利用选择由字符线所选定的记忆胞部分，对串接的记忆胞进行读取。记忆胞是藉由打开串接的记忆胞一侧上的传递晶体管的其中之一所选定。所选定部分的电荷储存状态是藉由测量连接所有传递晶体管的位元线上的电流所决定。

主权项

1、一种多数个记忆胞的操作方法，其特征在于，该些记忆胞是呈一串联配置，且具有一第一端耦接到一第一传递晶体管和一位元线与一第二端耦接到一第二传递晶体管和该位元线，每一该些记忆胞含有一闸极与位于一基底中的一源极和一汲极，且每一该些记忆胞包括一上介电层、具有部分对应该源极和该汲极的一电荷陷入结构与位于该闸极和该基底之间的一下介电层，该方法包括以下步骤：选定该些记忆胞中的其中之一；开启该第一传递晶体管和该第二传递晶体管其中之一，以使该位元线电性耦接到已选定的该记忆胞的该源极或该汲极，且选定部分对应该源极和该汲极的该电荷陷入结构；以及运用一第一偏压配置，以决定所选定的部分该电荷陷入结构的一电荷储存状态。