| 发明名称 | 多晶硅薄膜晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种多晶硅薄膜晶体管的形成方法，其包括如下步骤：在玻璃基板上顺序形成缓冲膜和非晶硅膜；利用由晶粒碰撞产生突出部生成的结晶化方法使所述非晶硅膜结晶化，形成具有多个突出部的多晶硅膜；在有源图案上构图所述多晶硅膜，该有源图案仅具有两个突出部，所述突出部隔着栅电极形成区域离开配置；在所述构图的多晶硅膜上涂敷阻挡膜，不完全覆盖突出部；对所述基板结果物离子注入掺杂剂，在含有突出部的栅电极形成区域两侧的多晶硅膜部分分别形成源极和漏极；除去所述阻挡膜；在所述基板结果物上形成栅极绝缘膜；在所述源极及漏极之间的栅极绝缘膜部分上形成栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN1747140A | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN200510067253.1 | 申请日期 | 2005.04.20 |
| 申请人 | 京东方显示器科技公司 | 发明人 | 孙暻锡;柳明官;朴宰徹;金亿洙;李俊昊;权世烈;任章淳 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);G02F1/1368(2006.01);G09G3/38(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李贵亮;杨梧 |
| 主权项 | 1、一种多晶硅薄膜晶体管的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃基板上顺序形成缓冲膜和非晶硅膜；利用由晶粒碰撞产生突出部生成的结晶化方法使所述非晶硅膜结晶化，形成具有多个突出部的多晶硅膜；在有源图案上构图所述多晶硅膜，该有源图案仅具有两个突出部，所述突出部隔着栅电极形成区域离开配置；在所述构图的多晶硅膜上涂敷阻挡膜，不完全覆盖突出部；对所述基板结果物离子注入掺杂剂，在含有突出部的栅电极形成区域两侧的多晶硅膜部分分别形成源极和漏极；除去所述阻挡膜；在所述基板结果物上形成栅极绝缘膜；在所述源极及漏极之间的栅极绝缘膜部分上形成栅极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||