| 发明名称 | 半导体存储装置的数据读出及数据写入方法和驱动方法 | ||
| 摘要 | 在将强电介质电容器与场效应晶体管(FET)的栅极连接的半导体存储装置中，设FET的阈值电压(Vti)时的栅极电荷为Qti。在从强电介质电容器的极化值为0(C/cm<SUP>2</SUP>)的状态开始增加电压时的极化-电压特性中，设可以得到与Qti相当的极化值的电压值为Vtf。读出动作中FET的栅极电荷-栅极电压特性与强电介质电容器的极化-电压特性的交点就是记忆后的最坏情况0(C/cm<SUP>2</SUP>)的状态下的工作点。 | ||
| 申请公布号 | CN1245721C | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN01109426.5 | 申请日期 | 2001.03.09 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 加藤刚久 |
| 分类号 | G11C7/00(2006.01);G11C7/10(2006.01);H01L27/105(2006.01) | 主分类号 | G11C7/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储装置的数据读出方法，该半导体存储装置包括由一对电极与强电介质组成的电容器以及场效应晶体管，所述电容器的一方电极与所述场效应晶体管的栅极连接，或所述电容器的一方电极兼作所述场效应晶体管的栅极，而所述电容器的另一方电极作为控制电极，在所述半导体存储装置中，通过在所述控制电极上施加电压而改变所述强电介质的极化，由此改变所述场效应晶体管的沟道电阻，并以二进制数据表示，其特征在于，所述数据读出方法包括以下过程：在所述场效应晶体管的阈值电压为正时，将所述阈值电压以下的正电压施加到所述控制电极上，在所述场效应晶体管的阈值电压为负时，将所述阈值电压以上的负电压施加到所述控制电极上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||