| 发明名称 | Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件 | ||
| 摘要 | III族氮化物基化合物半导体器件100中，在各自加入受体杂质的p－AlGaN层107和p－GaN层109之间提供中间层108。此时，中间层108掺杂有一定浓度的供体杂质，由此基本上补偿由p－AlGaN层107形成过程中引入到中间层108中的受体杂质所产生的空穴。结果，中间层108的电导率变得非常低，并因而显著提高III族氮化物基化合物半导体器件100的静电耐压。 | ||
| 申请公布号 | CN1748324A | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN200480003696.8 | 申请日期 | 2004.09.01 |
| 申请人 | 丰田合成株式会社 | 发明人 | 泷哲也 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.III族氮化物基化合物半导体器件，包括：第一p层和第二p层，每层中均加入受体杂质；和中间层，提供在第一p层和第二p层之间，其中中间层掺杂有一定浓度的供体杂质，使该浓度的供体杂质基本上补偿由制造过程中非故意引入中间层中的受体杂质所产生的空穴。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||