| 发明名称 | 低电压NMOS基静电放电箝位电路 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了用于低压静电放电箝位电路的系统和方法。结合p型阱和电阻的晶体管(201)可以被用作低压ESD箝位电路，其中晶体管(201)的主体(202)通过电阻器(206)耦合到源极(204)，从而降低了DC泄漏电流并在使晶体管(201)的闩锁效应最小的同时保持有效的ESD性能。 | ||
| 申请公布号 | CN1748309A | 申请公布日期 | 2006.03.15 |
| 申请号 | CN200480003835.7 | 申请日期 | 2004.02.04 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 迈克尔·贝尔德;理查德·T·艾达;詹姆斯·D·怀特菲尔德;许洪忠;索潘·乔施 |
| 分类号 | H01L23/62(2006.01) | 主分类号 | H01L23/62(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 张浩 |
| 主权项 | 1、一种p型阱和电阻相连的晶体管，包括：衬底；所述衬底中的隔离结构；邻近所述隔离结构的隔离层；邻近所述隔离层和隔离结构的阱；所述阱中的第一掺杂区；邻近所述第一掺杂区并形成主体的第一导电端子；所述阱中的第二掺杂区；邻近所述第二掺杂区并形成源极的第二导电端子；邻近所述阱的电介质层；邻近所述电介质层的、形成栅极的第三导电端子；所述阱中的第三掺杂区；邻近所述第三掺杂区并形成漏极的第四导电端子；和耦合在第一导电端子和第二导电端子之间的电阻元件。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||