| 主权项 |
1.一种半导体装置,适用于安装在电路板上且电连 接至此电路板,包含: 至少两个半导体晶片,及 基底,半导体晶片是安装在此基底上且半导体晶片 是电连接至此基底,以使半导体晶片是经由基底而 安装且电连接至此电路板上, 其中于堆叠各半导体晶片与基底之方向上,各半导 体晶片的厚度是小于此方向上之基底的厚度; 其中半导体晶片的杨氏系数是大于基底的杨氏系 数;及 其中半导体晶片的线性膨胀系数是小于基底的线 性膨胀系数。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中半导体 晶片是相互远离于垂直此堆叠方向之方向。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置,另包含连接 至各半导体晶片与基底之合成树脂层,使得各半导 体晶片是经由此合成树脂层而连接至基底。 4.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中半导体 晶片的杨氏系数是大于合成树脂层的杨氏系数。 5.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中半导体 晶片的线性膨胀系数是小于合成树脂层的线性膨 胀系数。 6.如申请专利范围第3项之半导体装置,另包含导电 构件,各半导体晶片是经由此导电构件而电连接至 基底,其中导电构件是被合成树脂层所包围。 7.如申请专利范围第3项之半导体装置,另包含导电 构件,各半导体晶片是经由此导电构件而电连接至 基底,及电绝缘层,配置在合成树脂层与半导体晶 片之间,使得合成树脂是经由电绝缘层而连接至半 导体晶片且包括垂直延伸至堆叠方向之表面,其中 导电构件延伸在该表面上。 8.如申请专利范围第1项之半导体装置,另包含连接 至半导体晶片之金属构件及金属构件经其而连接 至半导体晶片之黏着剂,其中黏着剂的杨氏系数是 小于半导体晶片的杨氏系数。 9.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中各半导 体晶片包括面对基底之第一表面及如相对于第一 表面的相反表面之第二表面,且至少一个半导体晶 片的第二表面是研磨机磨光的表面。 10.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中各半 导体晶片的厚度是不超过基底的厚度的50%。 11.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中各半 导体晶片的厚度是不超过基底的厚度的30%。 12.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中12 & LT; As(10-6K-1)≦20且TC/TS≦-0.04AS+1.1,当基底的线性膨胀 系数在TMA量测下是AS及各半导体晶片1的厚度是TC 且基底的厚度是TS时。 13.如申请专利范围第3项之半导体装置,其中合成 树脂层的杨氏系数在DMA量测下是不超过10GPA,且合 成树脂层的线性膨胀系数在TMA量测下是不超过351 0-6K-1。 图式简单说明: 图1是显示用于制造本发明的半导体装置之方法的 各别步骤之简要侧视图的组合。 图2是依据半导体装置的热变形用来分析应力状态 之半导体装置的模式的侧视图。 图3是显示半导体晶片配置、半导体装置中的位置 及应力値之间的关系表。 图4是显示半导体晶片的尺寸、半导体装置中的位 置及应力値之间的关系之简图。 图5是显示半导体晶片的尺寸、半导体装置中的位 置及应力値之间的关系之简图。 图6是依据半导体装置的热变形用来分析应力状态 之底胶的模式的侧视图。 图7是显示底胶的倾斜表面形状、半导体装置中的 位置与应力値之间的关系表。 图8是显示底胶的倾斜表面形状、半导体装置中的 位置与应力値之间的另一关系表。 图9是显示底胶的倾斜表面形状、半导体装置中的 位置与应力値之间的另一关系表。 图10a与10b是基底的厚度、半导体晶片的厚度、基 底的线性膨胀系数与应力値之间的关系之各图。 图11a与11b是基底的厚度、半导体晶片的厚度、底 胶的线性膨胀系数、底胶的杨氏系数与应力値之 间的关系之各图。 图12是本发明的另一半导体装置的前视图。 图13是本发明的另一半导体装置的侧视图。 图14是本发明的另一半导体装置的侧视图。 图15是本发明的另一半导体装置的侧视图。 图16是本发明的另一半导体装置的侧视图。 图17是本发明的另一半导体装置的侧视图。 图18是本发明的另一半导体装置的侧视图。 图19是显示用于制造本发明的另一半导体装置之 方法的各步骤之侧视图的组合。 图20是显示循环温度变化中基底的厚度、半导体 晶片的厚度及基底与半导体晶片间之导电构件上 的应变之间的关系之简图。 |
