| 主权项 |
1.一种深次微米制程之多晶矽预掺杂方法,以减少 一晶圆之污染,该方法至少包含: 提供该晶圆,且该晶圆具有一多晶矽层形成于其上 ; 以一第一掺质掺杂该多晶矽层;以及 回火该晶圆,并于该回火制程导入一第一气体,该 回火制程使得一覆盖层形成于该多晶矽层之一表 面,该覆盖层于该回火制程时降低掺质离子之向外 扩散。 2.如专利申请范围第1项所述之方法,其中该第一气 体包含氧气、氮气或其混合气体。 3.如专利申请范围第1项所述之方法,其中该覆盖层 包含二氧化矽。 4.如专利申请范围第1项所述之方法,其中该覆盖层 之厚度约10至约1000。 5.如专利申请范围第1项所述之方法,其中该回火制 程在温度约为750C下,进行约60分钟。 6.如专利申请范围第1项所述之方法,更包含于该回 火制程之后,去除该覆盖层。 7.如专利申请范围第6项所述之方法,其中该去除制 程系将该晶圆湿浸泡于氢氟酸中。 8.如专利申请范围第1项所述之方法,其中该第一气 体系于该回火制程中之上升时段被导入。 9.一种降低一晶圆之污染方法,该方法至少包含: 提供该晶圆,且该晶圆具有一第一层形成于其上, 该第一层具有第一掺质; 形成一覆盖层于该第一层之上;以及 回火该晶圆,该覆盖层于该回火时,限制该掺质向 外扩散。 10.如专利申请范围第9项所述之方法,其中该形成 一覆盖层之步骤与该回火步骤系执行于一相同之 制程,系于该回火步骤中加入一第一气体。 11.如专利申请范围第10项所述之方法,其中该第一 气体包含氧气、氮气或其混合气体。 12.如专利申请范围第10项所述之方法,其中该第一 气体于该回火步骤之上升阶段被导入。 13.如专利申请范围第9项所述之方法,其中该形成 一覆盖层系于该回火该晶圆之前被实施。 14.如专利申请范围第9项所述之方法,其中该第一 层包含多晶矽。 15.如专利申请范围第9项所述之方法,其中该覆盖 层包含二氧化矽。 16.如专利申请范围第9项所述之方法,其中该覆盖 层厚度约为10至1000。 17.如专利申请范围第9项所述之方法,其中该回火 系于温度约为750C下,进行约60分钟。 18.如专利申请范围第9项所述之方法,更包含于该 回火步骤之后,移除该覆盖层。 19.如专利申请范围第18项所述之方法,其中该移除 步骤,系将该晶圆湿浸泡于氢氟酸中。 图式简单说明: 第1图是本发明之一较佳实施例之一晶圆上形成有 一半导体层之剖面图; 第2图系绘示系用来说明进行离子植入制程之剖面 图; 第3图系绘示第2图之本发明一较佳实施例之晶圆 经过一回火制程后形成一覆盖层之剖面图; 第4图系绘示第3图之本发明一较佳实施例之晶圆 在覆盖层被移除后之剖面图;以及 第5图系绘示第4图之本发明一较佳实施例之晶圆 在半导体层被图案化后之剖面图。 |
