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1.一种氮氧化矽层之制造方法,系应用于一多晶矽 薄膜电晶体的制程,其步骤包括: 提供一电浆辅助化学气相沉积系统,其包含一腔体 及一电浆激发源; 提供一基板,设置于该腔体; 以电浆辅助化学气相沉积方法于该基板表面形成 一氧化矽层; 于腔体通入一含氧气体; 以该电浆激发源激发该含氮气体形成电浆;及 对该氧化矽层施以一含氮电浆处理以形成一氮氧 化矽层。 2.如申请专利范围第1项所述之氮氧化矽层之制造 方法,其中该基板系为玻璃基板。 3.如申请专利范围第1项所述之氮氧化矽层之制造 方法,其中该含氮气体系选自一氧化二氮(N2O)或氨 气(NH3)所组成的族群其中之一。 4.如申请专利范围第1项所述之氮氧化矽层之制造 方法,其中该氮氧化矽层系作为该多晶矽薄膜电晶 体之闸极绝缘层。 5.如申请专利范围第1项所述之氮氧化矽层之制造 方法,其中该氮氧化矽层系作为该多晶矽薄膜电晶 体之缓冲层。 6.如申请专利范围第1项所述之氮氧化矽层之制造 方法,其中该电浆辅助化学气相沉积系统系为射频 电浆化学气相沉积系统(RF-PECVD)。 7.如申请专利范围第1项所述之氮氧化矽层之制造 方法,其中该电浆辅助化学气相沉积系统系为电子 回旋共振式化学气相沉积系统(Electron Cyclotron Resonance CVD, ECR-CVD)。 8.如申请专利范围第1项所述之氮氧化矽层之制造 方法,其中该电浆辅助化学气相沉积系统系为引控 式电浆化学气相沉积系统(Remote Plasma CVD)。 9.如申请专利范围第1项所述之氮氧化矽层之制造 方法,其中该电浆辅助化学气相沉积系统系为磁控 式电浆化学气相沉积系统(Magnetic Plasma CVD)。 图式简单说明: 第1图为本发明实施例的步骤流程图。 |
